Описание
Фотосинтетический поток (мкмольс)Напряжение питания: 288176 ~ 265 V
КСС: Л (полуширокая)
Степень пылевлагозащиты: IP 65
Крепление: Двусторонний подвес
Диапазон рабочих температур: от -40 до +45 °С
Средняя наработка до отказа: 50000 ч
Количество светодиодных матриц: 8
Защита от кратковременных (8-20 мкс) импульсов напряжения: 1000 V
Потребляемая мощность: 150 W
Габаритные размеры ДxШxВ: 859х74х42