Описание
Тип корпуса: ФЫ3.362.022 ГЧ
Масса, г, не более: 0,01
Общая емкость диода, пФ: 2,95 – 4,3
Коэффициент перекрытия по емкости: тип 6,5
Постоянное обратное напряжение, В: 55
Производитель: АО “НИИП”
Диоды полупроводниковые настроечные предназначены для электрической перестройки частоты и фазы в радиоэлектронной аппаратуре. Применяются в качестве переменной емкости в радиотехнических цепях СВЧ диапазона при создании частотно перестраиваемых фильтров, аттенюаторов, фазовращателей и т.п., а также для управления частотой твердотельных генераторов СВЧ.
Тип корпуса: ФЫ3.362.022 ГЧ
Масса, г, не более: 0,01
Общая емкость диода, пФ: 2,95 – 4,3
Коэффициент перекрытия по емкости: тип 6,5
Постоянное обратное напряжение, В: 55