FORMULA TT3

Производитель: ООО “ФОРМ”

Тестер FORMULA® TT3 — это универсальная контрольно-измерительная система, предназначенная для комплексной автоматизированной проверки статических параметров полупроводниковых приборов: полевых и биполярных транзисторов, диодов, тиристоров, стабилитронов, оптронов, микросборок, а также:

Измерение емкости: входной, проходной, выходной для полевых транзисторов

Измерение заряда: затвор-сток, затвор-исток и полного заряда для полевых транзисторов.

Измерение параметров пассивных компонентов (L,C,R)

Тестеры FORMULA® TT3 являются типовыми средствами измерений с подтвержденными метрологическими характеристиками в соответствии с описанием типа.

Разработчик и производитель Тестера:

ООО «ФОРМ», Россия

Высокий уровень комплексной автоматизации всех этапов процесса измерений, который обеспечивает Тестер FORMULA® TT3, позволяет инженеру сосредоточиться на самом главном — особенностях работы и анализе отклонений проверяемых полупроводниковых приборов.

Область применения Тестера — испытания и контроль качества на всех стадиях жизненного цикла полупроводниковых приборов, включая:

Испытания и исследования вновь разработанных типов полупроводниковых приборов

Производственные и приемочные испытания серийной полупроводниковой продукции: типовые, квалификационные, периодические, отбраковочные, приемо-сдаточные

Сертификационные испытания ЭКБ ИП

Входной контроль

Описание

Тип измерения 4-х проводная схема подключения

Операционная система Windows 10

Программное обеспечение Программное обеспечение с графическим интерфейсом пользователя. ПО включает модули самодиагностики, метрологии, составления и исполнения измерительных программ.

Диапазон задаваемого и измеряемого напряжения ±100 мВ…±2000 В

Ряд независимых источников и измерителей напряжения 10; 20; 40; 200; 500; 2000 В

Погрешность задания и измерения напряжения от ±(0,5% + 10) мВ

Диапазон задаваемого тока ±100 нА…±100 А

Диапазон измеряемого тока ±400 пА…±100 А

Ряд независимых источников и измерителей тока 5 мА; 200 мА; 10 А; 100 А

Погрешность задания тока от ±(1% ± 50) нА

Режим измерения емкостных характеристик от 30 пФ до 40 нФ

Режим измерения зарядовых характеристик от 1 нК до 400 нК

Длительность измерительного импульса 300 мкс…100 с