2МЕ103Б2

Производитель: АО “Ангстрем”

Отечественный IGBT модуль с категорией ВП, собранный на кристаллах собственного изготовления. Конфигурация – полумост. Технология IGBT кристаллов – NPT+, обеспечивает время сопротивления короткому замыканию до 40 мкс (в 4 раза больше импортных аналогов), что позволяет значительно улучшить надежность работы и увеличить срок службы изделий.

Области применения: Изделия специального назначения и радиационно-стойкие изделия.

Описание

Тип корпуса: МПК-62

Документ на поставку: АЕЯР.432170.801ТУ

Функциональное назначение: Полумост, четыре мощных БТИЗ и восемь БВД

Вид приёмки: ОП

Максимально-допустимое напряжение, В: 1700

Максимально-допустимый ток, А: 200

Время восстановления, нс: 600

Тип конфигурации: Полумост

Аналоги: 2MBI200VH-170-50, 2MBI200VH-170-80, CM200DY-34T, CM200DY-34A, SKM200GB17E4, MIAA-HB17FA-200N

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 1000

Статус: Поставка опытных образцов по официальному запросу