КРЭП

Каталог радиоэлектронной продукции

КРЭП

Каталог радиоэлектронной продукции

3А210А1-3

Производитель: АО “НИИП”

Детекторные арсенидогаллиевые бескорпусные составные диоды повышенной мощности с балоч-ными выводами предназначены для работы в гибридных интегральных схемах (микросборках, модулях) СВЧ и КВЧ диапазонов длин волн. Диоды поставляются с балочными выводами без кристаллодержателя. Основной способ присоединения диода при монтаже – присоединение методом термокомпрессионной сварки. Рекомендуемый режим: температура подогрева иглы от 500 до 600 °С, температура стола от 260 до 280 °С, время сварки не более 5 с, прикладываемое к игле усилие от 10 до 15 г. Габаритные размеры диода: 0,85×0,31×0,1 мм или 1,85×0,31×0,1 мм.

Артикул: 0000002530 Категория:

Описание

Общая емкость диода (Uобр = 0), пф, не более_x0001_: 0,04

Последовательное сопротивление потерь (Iпр = 10 мА), Ом, не более: 10

Постоянное обратное напряжение (Iобр = 10 мкА), В, не менее: 6

Рабочий диапазон частот*, ГГц: 26,5-52

Чувствительность по напряжению*, мВ/мВт, не менее_x0001_: 1500

Коэффициент стоячей волны по напряжению*, не более: 3

Максимальная допустимая падающая (входная) непрерывная СВЧ мощность, мВт: 100

Максимальная допустимая падающая (входная) непрерывная СВЧ мощность, мВт: 70

Максимальная допустимая падающая (входная) импульсная СВЧ мощность, мВт (ϑимп ≤ 0,3 мкс, f = 1000 Гц): 200

Максимальная допустимая падающая (входная) импульсная СВЧ мощность, мВт (ϑимп ≤ 0,3 мкс, f = 1000 Гц): 120

Максимальная допустимая падающая (входная) импульсная СВЧ мощность, мВт (ϑимп ≤ 0,3 мкс, f = 1000 Гц): 56

Все результаты поиска