Производитель: АО “НИИП”
Диоды полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах миллиметрового диапазона длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА).
Тип корпуса: ФЫ3.362.044 ГЧ_x0001_
Масса, г, не более: 0,1
Диапазон рабочих частот, ГГц: 25,95-37,56
выходная мощность, мВт: макс 25; тип 35
Постоянный рабочий ток, А: макс 1,25; тип 1,1
Постоянное рабочее напряжение, В: 2,5-5,0
Полярность: –