Описание
Oбщая емкость диода (при Uобр = 5 В), не более, пФ: 20
Постоянное прямое напряжение диода при прямом токе 1 А, В: 1,3
Постоянный обратный ток, мкА: 5 (225 В)
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение, В: 225
Производитель: АО “НИИП”
Арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные импульсные диоды с барьером Шоттки типов 3Д713А – Ж, 3Д713А1 – Ж1 в металлокерамическом корпусе КД-4А предназначены для работы в импульсных, переключательных и выпрямительных схемах на частотах до 1 ГГц аппаратуры специального назначения. По заказу потребителя диоды могут поставляться комплектами (до 10 шт. в комплекте) с разбросом постоянного прямого напряжения между диодами в комплекте не более 0,05 В при токе 0,5 или 1 А. По техническим характеристикам диоды 3Д713 заменяют диоды 2Д805, 2Д237, 2Д708А, 2Д708Б.
Oбщая емкость диода (при Uобр = 5 В), не более, пФ: 20
Постоянное прямое напряжение диода при прямом токе 1 А, В: 1,3
Постоянный обратный ток, мкА: 5 (225 В)
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение, В: 225