Производитель: АО “НИИП”
Диоды полупроводниковые настроечные предназначены для электрической перестройки частоты и фазы в радиоэлектронной аппаратуре. Применяются в качестве переменной емкости в радиотехнических цепях СВЧ диапазона при создании частотно перестраиваемых фильтров, аттенюаторов, фазовращателей и т.п., а также для управления частотой твердотельных генераторов СВЧ.
Тип корпуса: ФЫ3.362.029 ГЧ
Масса, г, не более: 0,1
Общая емкость диода, пФ: 0,2 – 0,3
Коэффициент перекрытия по емкости: мин 2,5; тип 3,1
Постоянное обратное напряжение, В: 15
Добротность диода при Uобр = 6 В на частоте 1 ГГц: мин 800; тип 1200
Максимально допустимая непрерывная рассеиваемая СВЧ мощность, мВт: 25